涨价缺货！请收好这份国产功率半导体选型指南

“这是一个能够‘滚雪球’的赛道，只要持续精进，便可占据一席之地。”众多产业人士认为，功率半导体将是实现国产替代最快速的领域。

据Omdia数据统计，功率器件市场规模在2024年将增长到172亿美元，相比2020年将近有18%的增长率。其中，第三代半导体正在迅速发展，由2020年5%的占有率提升至2024年的17%左右。国产功率器件厂商迎来了新机遇。

另一方面，自2020年以来，全球半导体陷入供应链紧张的困境，功率半导体也卷入这场缺货潮中，英飞凌、安森美、安世半导体等全球领先厂商先后发布涨价通知。目前，市场对功率半导体相关产品的需求依然很旺盛，部分进口产品的交期长达52周，甚至更久。这也在一定程度上促进了功率半导体的国产替代进程，扬杰科技、新洁能、斯达半导、华微电子、士兰微等国产品牌对进口产品带来了较大的挑战。

由国内领先的半导体电子信息媒体芯师爷举办的第三届“硬核中国芯”，汇聚了百余家中国半导体芯片产业的知名企业、潜力企业。本文精选了此次参评的功率半导体相关产品，以期为市场提供更多选择。

瑞能第5代软恢复二极管

瑞能过压钳位可控硅(ACT/ACTT系列)

瑞能半导体

自诞生以来，瑞能半导体已走过逾50年辉煌历程。作为全球功率半导体行业的佼佼者，瑞能始终专注于研发行业领先、广泛且深入的功率半导体产品组合，公司主要产品主要包括碳化硅器件，可控硅整流器和晶闸管，快恢二极管，TVS，ESD，IGBT，模块等。产品广泛应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。

瑞能第5代软恢复二极管

瑞能第5代软恢复二极管，采用最新一代掺铂金工艺，在高耐压，低漏流，高可靠性特性方面有很好的继承性，在高温环境下反向恢复电流振铃明显降低，实现高软度因子，与普通快恢复二极管实测对比，系统整体EMI降低 7~8dB，EMI性能提升得到广大客户的充分认可。此外通过外延层工艺改善，相对于前代产品，第5代软恢复二极管的雪崩能力也得到了进一步的加强。

瑞能过压钳位可控硅(ACT/ACTT系列)

瑞能半导体的过压钳位可控硅(ACT/ACTT系列)，采用最新一代的平面钝化工艺，具有过电压钳位保护功能，相对传统可控硅，ACT/ACTT产品能够在过压噪声的环境下，将电压钳位在安全工作范围，噪声的能量将会转化为热量耗散掉，使其不会因瞬态过压而导致误触发；平面钝化工艺提升了器件的高温特性，ACT /ACTT具有150℃的高结温，以及更低的漏电流和更好的一致性，同时还具有高dVD/dt能力可以有效的避免因电压上升过快导致器件被误触发问题。从而很好的提升整机系统的稳定性和可靠性。

IGBT 5.0芯片

比亚迪半导体

比亚迪半导体股份有限公司主要从事功率半导体、智能控制IC、智能传感器、光电半导体、制造及服务，产品广泛应用于汽车、能源、工业、通讯和消费电子等领域，具有广阔的市场前景。比亚迪半导体在技术快速发展、市场份额持续提升的同时，始终以高品质服务于国内外客户，立志成为高效、智能、集成的新型半导体供应商，为广大客户提供领先的车规级半导体整体解决方案。

IGBT 5.0芯片

IGBT5.0的优异性能来源于其将沟槽栅密度提升了5倍以上，并对元胞进行了精妙的布局设计，结合优化的复合场终止结构，使得其综合特性及能耗接近国际上最先进的微沟槽IGBT。

P3M173K0K3

派恩杰

派恩杰半导体（杭州）有限公司是第三代半导体功率器件设计销售企业（Fabless模式），持续专注于碳化硅和氮化镓功率器件设计研发与产品销售。

派恩杰产品有SiC SBD，SiC MOS以及GaN HEMT等，广泛应用于服务器及数据中心电源、新能源汽车、智能电网、5G物联网、工业电机、逆变器等场景和领域。成立仅6个月即完成第一款可兼容驱动650V GaN功率器件；同年发布Gen3技术的1200V SiC MOS产品，技术指标国内领先；2020年公司推出650V、1700V SiC MOS产品，完成三大产品系列布局；2021年公司推出650V、1200V SiC SBD全阵容产品，丰富了650V、1200V、1700V SiC MOS产品线，将发布100余款不同型号功率器件。

P3M173K0K3

与使用Si器件相比，该产品采用1700V SiC MOS 由于可以耐更高的电压，更小的Rds(on),可以采用1个 SiC MOS构成更为简单的反激电路实现，从而大幅减小了元器件数量，设计更简单，驱动设计更容易，缩短开发周期，因此可以用于200V 至1000V输入的反激式拓扑中。SiC MOS由于具有更小的开关损耗，更小的损耗同时意味着可以工作在更高的开关频率，从而减小电源体积和重量，有助于工业设备实现显著小型化、高可靠性和节能化。

碳化硅二极管G52YT（650V2A，SMA）

泰科天润

泰科天润半导体科技（北京）有限公司专业从事碳化硅器件研发与制造，并提供应用解决方案。该公司是IDM模式的企业，拥有10年碳化硅器件量产经验，集设计、研发、制造、应用为一体，已通过IATF16949体系认证。泰科天润的碳化硅产品已通过RoHS、REACH、UL、DNV·GL、USCG、AEC-Q101等标准认证，产品质量比肩行业先进水平。

碳化硅二极管G52YT（650V2A，SMA）

碳化硅二极管没有反向恢复损耗，不会因为开关频率的升高而产生更大的损耗。故将碳化硅二极管应用于开关电源，可使电路工作在更高的开关频率，大大减小电感、电容等元器件的体积和重量。同时，碳化硅二极管具有优良的导通特性和耐温特性，大大降低了对散热的要求，有利于优化电路热设计。因此碳化硅二极管可以提升电源效率、降低电源整体成本、提高电源功率密度。此外，该款碳化硅二极管产品采用了SMA封装形式，提供了小型化的解决方案，满足客户对器件小型化和电源高功率密度的需求。

兼容光耦带DESAT保护功能的IGBT/SiC隔离驱动器 SLMi33x

双通道低边驱动器 SLM27524

数明半导体

上海数明半导体有限公司聚焦于高性能模拟芯片设计以及系统的整体解决方案，产品包括驱动芯片、隔离器、电源管理以及智能光伏方案等，广泛应用在工业、汽车以及能源等领域。

数明半导体拥有独立自主知识产权和丰富的IP积累，已获得24项专利授权并于2020年获评为“高新技术企业”。

兼容光耦带DESAT保护功能的IGBT/SiC隔离驱动器 SLMi33x

SLMi33x内置快速去饱和(DESAT) 故障检测功能、米勒钳位功能、漏极开路故障反馈、软关断功能以及可选择的自恢复模式，兼容光耦隔离驱动器，为客户工程师提供高质量、高性能的替代方案。

通过采用业界领先的双电容隔离技术和“OOK”传输技术，SLMi33x实现了5kVrms的隔离电压和高达10kV的隔离浪涌电压，并具有超过100kV/us (Min.)的共模瞬态抗扰度（CMTI），满足了SiC功率器件对CMTI的高要求，保证了在极端恶劣工作环境下的可靠性和稳定性。

双通道低边驱动器 SLM27524

SLM27524能够将高峰值电流脉传送到电容负载，具有轨到轨驱动能力、快速的上升下降时间（典型值7ns/7ns）以及典型值小于13ns的极短传输延迟时间等优势。SLM27524特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，令SLM27524非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。另外，此特性使两个通道可以并连，有效增加电流驱动能力或者使用单一输入型号驱动两个并联在一起的开关。SLM27524主要应用有开关电源、车载DC/DC、OBC、PTC、GaN等新型宽禁带功率器件栅极驱动器等。

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